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      高壓氮化镓HEMT材料

      産品标签: 電力電子

      所属企業: 蘇州晶湛半導體有限公司

      人才姓名: 程凱

      發布時間: 2009/10/4

      點擊次數: 2407次

      産品信息

                      苏州晶湛半导体开发的200毫米硅上氮化镓外延片在不排除边缘的情况下,晶圆外延层厚度的均匀性好于0.5%。苏州晶湛在200毫米硅衬底上生长的无龟裂(Al)氮化镓外延层厚度达4至7mm,外延片的翘曲小于20 mm,翘曲的偏差小于5 mm,说明生长工艺具有很好的重复性。对具有总厚度4mm的200毫米硅上氮化镓外延片,苏州晶湛测试了外延片上10个不同位置的HEMT器件的击穿特性。在衬底悬空的状态下,氮化镓器件的击穿电压超过了1600 V,而器件的漏电电流小于10 uA/mm。从测试结果可以看到各点的漏电流数据都相互重合,表明该産品具有很好的一致性和均匀性。            
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